A 系列

B 系列

主要應(yīng)用

高分辨率帶電粒子光譜測(cè)量（核物理與放射化學(xué) ，空間物理學(xué)）

粒子識(shí)別、望遠(yuǎn)鏡探測(cè)器（核物理與放射化學(xué)，空間物理學(xué)）

探測(cè)器類型

部分耗盡的硅面壘

全耗盡的硅面壘

初始材料

Si

Si

有效面積范圍 (mm²)

25-450

50-450

有效厚度范圍 (µm)

1000-2000

150-2000

保證工作溫度范圍*

+25°C 至
–30°C

+25°C 至
–30°C

二極管結(jié)構(gòu)

金 - N型硅鋁部分耗盡

金 - N型硅鋁全耗盡

標(biāo)稱等效** 窗口的截止能量

入口
800 Å Si

入口
800 Å Si
出口
2250 Å Si

C 系列

D 系列

主要應(yīng)用

從準(zhǔn)直光源或光束的反向散射 - 角度相關(guān)測(cè)量（核物理）

重離子的飛行時(shí)間測(cè)量（核物理）

探測(cè)器類型

環(huán)形部分耗盡的硅面壘

平面全耗盡的硅面壘

初始材料

Si

Si

有效面積范圍 (mm²)

50-450

10-450

有效厚度范圍 (µm)

100-1000

15-100

保證工作溫度范圍*

25°C 至
–30°C

10°C 至
25°C

二極管結(jié)構(gòu)

金 - N型硅鋁部分耗盡

金 - N型硅鋁全耗盡平面

標(biāo)稱等效** 窗口的截止能量

入口
800 Å Si
出口
2250 Å Si

入口
800 Å Si
出口
2250 Å Si

F 系列

R 系列

主要應(yīng)用

重離子譜測(cè)量（核物理學(xué)）

可在空氣和環(huán)境光下進(jìn)行的帶電粒子譜測(cè)量

探測(cè)器類型

部分耗盡的硅面壘

加固型部分耗盡硅

初始材料

Si

Si

有效面積范圍 (mm²)

100-900

50-2000

有效厚度范圍 (µm)

≥60

100-500

保證工作溫度范圍*

+25°C 至
–30°C

+25°C 至
–30°C

二極管結(jié)構(gòu)

金 - N型硅鋁部分耗盡高場(chǎng)強(qiáng)

鋁 - P型硅金部分耗盡

標(biāo)稱等效** 窗口的截止能量

入口
800 Å Si

入口
2300 Å Si